Tecnología de alta conductividad térmica
| Tecnología de alta conductividad térmica | |
| Elementos | Material / Parámetros |
| Material | Basado en Al, Basado en Al (Al: 3003, 5052, 6061) Basado en cobre, Basado en cobre (Cu: T1, T2, T3) Basado en cerámica (Material: AL2O3, ALN) |
| Proveedor de materiales a base de metal: Chuang Hui, Wazam, Ventech, Polytronics, | |
| Proveedor de material a base de cerámica: Kyocera, Bergquist | |
| Capas | 1-6L |
| Conductividad térmica de base metálica (W/mk) | PP conductivo: 2, 3, 4, 6, 8 |
| Separación ThermalElectro: 12, 25, 77, 380 Mezcla de cobre/aluminio: 49-104 | |
| Conductividad térmica basada en cerámica (W/mk) | AL2O3: 96 % de pureza --- 26; 99 % de pureza --- 30 |
| ALN: 99,9 % de pureza－－－67 | |
| Grosor del tablero (mm) | Basado en metal: 1.0, 1.2, 1.6, 2.0, 2.3 |
| Basado en cerámica: 0,83, 1,0, 1,5, 3,0 | |
| Espesor de cobre (Oz) | h, 1, 2, 3 |
| Tamaño de entrega: | Con base de metal: min: 18*18; max: 500*585 Con base de cerámica: min: 2*2; max 100*100 |
